PoE एपी कोर 3W~27W एसएमडी उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर PoE एप्लिकेशन के लिए - 3~27W PoE उच्च आवृत्ति पावर ट्रांसफार्मर एसएमडी पैकेज के साथ | टाइवान आधारित पावर सप्लाई और चुंबकीय घटक निर्माता | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
EP कोर के साथ 3~27W हाई फ्रिक्वेंसी ट्रांसफॉर्मर। EP श्रृंखला 200KHz स्विचिंग फ्रिक्वेंसी के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसे PoE एप्लिकेशन में उपयोग किया जा सकता है।
YUAN DEAN उच्च कार्यक्षमता उत्पादन समाधान और अनुकूलित उत्पाद प्रदान कर सकता है।
किसी भी OEM/ ODM आवश्यकता का स्वागत है। हम आपके साथ सहयोग करने की उम्मीद करते हैं!YDS ताईवान से 1990 से पोई एप्लिकेशन के लिए उच्च गुणवत्ता वाला EP कोर 3W~27W SMD हाई फ्रीक्वेंसी ट्रांसफॉर्मर है, PoE 3W~27W SMD उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर निर्माता।हम विभिन्न उत्पाद उत्पन्न करते हैं जैसे DC/DC कनवर्टर, AC/DC कनवर्टर, मैग्नेटिक के साथ RJ45, 10/100/1G/2.5G/10G बेस-टी लैन फ़िल्टर, सभी प्रकार के ट्रांसफ़ॉर्मर, इंडक्टर, एलईडी ड्राइवर/लाइटिंग उत्पाद और पावर बैंक।
PoE एपी कोर 3W~27W एसएमडी उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर PoE एप्लिकेशन के लिए
PoE ईपी श्रृंखला
3~27W PoE उच्च आवृत्ति पावर ट्रांसफार्मर एसएमडी पैकेज के साथ
EP कोर के साथ 3~27W हाई फ्रिक्वेंसी ट्रांसफॉर्मर। EP श्रृंखला 200KHz स्विचिंग फ्रिक्वेंसी के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसे PoE एप्लिकेशन में उपयोग किया जा सकता है।
YUAN DEAN उच्च कार्यक्षमता उत्पादन समाधान और अनुकूलित उत्पाद प्रदान कर सकता है।
किसी भी OEM/ ODM आवश्यकता का स्वागत है। हम आपके साथ सहयोग करने की उम्मीद करते हैं!
विशेषताएँ
- पावर ओवर ईथरनेट (PoE) के लिए ट्रांसफॉर्मर।
- 200KHz स्विचिंग फ्रिक्वेंसी के लिए डिज़ाइन किया गया है।
- पावर: 3W ~ 27W
- हाइपॉट वोल्टेज: 1500 Vrms
- कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध है।
एप्लिकेशन्स
- कंप्यूटर उपकरण।
- इंटरनेट उपकरण।
- एसी मुख्य बिजली आपूर्ति प्रणाली।
- औद्योगिक नियंत्रण।
- दूरसंचार उपकरण।
विशेष विवरण
- ऑपरेटिंग तापमान सीमा: -40°C से +125°C तक
- संग्रहण तापमान सीमा: -55°C से +125°C तक
- सोल्डर रीफ्लो तापमान: 10 सेकंड तक +245°C
- RoHS अनुरूप संस्करण उपलब्ध है।
EP7 8PIN SMD
| पार्ट नंबर | टर्न अनुपात Pri:Sec:AUX ① | एल ② (यूएच ± 10%) | इनपुट | LK ③ अधिकतम (यूएच) | DCR ④ (ओहम्स मैक्स) | आउटपुट वोल्टेज ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| प्राथमिक | अतिरिक्त | द्वितीयक | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | १:०.१८२:०.६८२ | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | 1.60 | 2.60 | ०.०४५ | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 1.75 | ०.२२ | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① प्राथमिक विंडिंग को पैरालेल में जोड़कर टर्न अनुपात होता है।
② L(NOM) = नामक इंडक्टेंस प्राथमिक विंडिंग के लिए होता है, 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc पर मापा जाता है।
③ प्राथमिक अन्य पिन्स के बीच निकलने वाली इंडक्टेंस मापी जाती है।
④ पैरालेल में जुड़े द्वितीय विंडिंग के लिए DCR।
⑤ प्राथमिक विंडिंग को पैरालेल में जोड़कर आउटपुट होता है।
EP10 8PIN SMD
| पार्ट नंबर | टर्न अनुपात Pri:Sec:AUX ① | एल ② (यूएच ± 10%) | इनपुट | LK ③ अधिकतम (यूएच) | DCR ④ (ओहम्स मैक्स) | योजनाबद्ध | आउटपुट वोल्टेज ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| प्राथमिक | अतिरिक्त | द्वितीयक | |||||||
| 10सितंबर-2502टीएनएल | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | ०.२५ | 0.02 | 0.0035 | बी | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | ए | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | १:०.१८२:०.६८२ | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | 0.53 | 0.90 | 0.031 | ए | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | ए | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | ए | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 0.42 | 0.115 | 0.016 | ए | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | 0.57 | 1.00 | 0.040 | ए | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | ०.८० | 0.115 | ०.०४५ | ए | Vo=१२वी/७डब्ल्यू, ८वी/२०मिए |
| १०सितंबर-१६११एसएनएल | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | ०.५४ | ०.९२ | ०.३७ | ए | Vo=१२वी/७डब्ल्यू, १२वी/२०मिए |
① प्राथमिक विंडिंग को समानांतर में जोड़कर टर्न अनुपात होता है।
② L(NOM) = नामक इंडक्टेंस प्राथमिक विंडिंग के लिए होता है, 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc पर मापा जाता है।
③ प्राथमिक के बीच लीकेज इंडक्टेंस अन्य पिन को शॉर्ट करके मापा जाता है।
④ समानांतर में जोड़े गए द्वितीय विंडिंग के लिए DCR।
⑤ आउटपुट पैरालेल में जुड़े हुए सेकेंडरी वाइंडिंग के साथ होता है।
EP13 10PIN SMD
| पार्ट नंबर | टर्न अनुपात Pri:Sec:AUX ① | एल ② (यूएच ± 10%) | इनपुट | LK ③ अधिकतम (यूएच) | DCR ④ (ओहम्स मैक्स) | योजनाबद्ध | आउटपुट वोल्टेज ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| प्राथमिक | अतिरिक्त | द्वितीयक | |||||||
| 13 सितंबर-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | ०.४४ | ०.०८८ | ०.००६ | ए | वो=३.३वी/१३.५वॉट, ८वी/२०मिलीए |
| १३सितंबर-१६११एयूएनएल | १:०.१६७:०.६३९ | १५५.५ | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | ०.३३ | ०.६५ | ०.०११ | बी | Vo=३.३वी/११डब्ल्यू, १२वी/२०मिए |
| १३सितंबर-७८०१जेडएनएल | १:०.१८२:०.६८२ | ७७.४ | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | ०.१० | ०.२७ | 0.0085 | ए | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 0.46 | 0.094 | 0.012 | ए | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | ७७.४ | 33 ~ 57V, 200KHZ | ०.८ | ०.२२ | ०.२५ | ०.०१८ | ए | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | १:०.२९२:०.२०८ | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | ७.५ | 0.46 | 0.094 | ०.०५५ | ए | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | ७७.४ | 33 ~ 57V, 200KHZ | ५.० | ०.१० | ०.२७ | 0.075 | ए | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | ०.०५५ | 0.027 | ए | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① प्राथमिक विंडिंग को पैरालेल में जोड़कर टर्न अनुपात होता है।
② L(NOM) = नामक इंडक्टेंस प्राथमिक विंडिंग के लिए होता है, 200KHz, 0.2Vrms, 0Adc पर मापा जाता है।
③ लीकेज इंडक्टेंस प्राथमिक विंडिंग के बीच मापा जाता है, अन्य पिन को शॉर्ट किया जाता है।
④ पैरालेल में जोड़े गए द्वितीय विंडिंग के लिए DCR।
⑤ प्राथमिक विंडिंग को पैरालेल में जोड़कर आउटपुट होता है।
प्रमाणन
- यांत्रिकी और आयाम
पीओई ईपी श्रृंखला मैकेनिकल्स और आयाम (ईपी7 8पिन)
पीओई ईपी श्रृंखला मैकेनिकल्स और आयाम (ईपी10 8पिन)
पीओई ईपी श्रृंखला मैकेनिकल्स और आयाम (ईपी13 10पिन)
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PoE समाधान के लिए उच्च आवृत्ति ट्रांसफॉर्मर PoE EP श्रृंखला
3~27W PoE समाधान SMD उच्च आवृत्ति ट्रांसफॉर्मर के लिए PDF कैटलॉग
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PoE एपी कोर 3W~27W एसएमडी उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर PoE एप्लिकेशन के लिए - 3~27W PoE उच्च आवृत्ति पावर ट्रांसफार्मर एसएमडी पैकेज के साथ | ताइवान में स्थित पावर सप्लाई और मैग्नेटिक कंपोनेंट्स निर्माता | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
1990 से ताइवान में स्थित, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट उद्योग में एक पावर कनवर्टर, ट्रांसफॉर्मर, मैग्नेटिक कंपोनेंट्स निर्माता है। उनके मुख्य उत्पादों में EP कोर 3W~27W SMD उच्च आवृत्ति ट्रांसफॉर्मर, PoE एप्लिकेशन के लिए DC-DC कनवर्टर, AC-DC कनवर्टर, RJ45 मैग्नेटिक्स, कनवर्टर ट्रांसफॉर्मर, LAN फ़िल्टर, उच्च आवृत्ति ट्रांसफॉर्मर, POE ट्रांसफॉर्मर, इंडक्टर और LED ड्राइवर्स शामिल हैं, जो ERP सिस्टम के साथ RoHS मंजूर हैं।
YDS की स्थापना 1990 में तैनान, ताइवान में हुई थी और हमारी फैक्टरी हो माओ इलेक्ट्रॉनिक्स की स्थापना 1995 में शियामेन, चीन में हुई थी। हम आईएसओ 9001, आईएसओ 14001 और आईएटीएफ 16949 प्रमाणित साथ अग्रणी इलेक्ट्रॉनिक निर्माता हैं। हम विभिन्न उत्पाद उत्पन्न करते हैं जैसे DC/DC कनवर्टर, AC/DC कनवर्टर, RJ45 विथ मैग्नेटिक्स, 10/100/1G/2.5G/10G बेस-टी लैन फ़िल्टर, सभी प्रकार के ट्रांसफ़ॉर्मर, इंडक्टर, एलईडी ड्राइवर/रोशनी उत्पाद और पावर बैंक। ISO 9001 और ISO 14001, IATF16949 प्रमाणित पावर कनवर्टर, उच्च आवृत्ति ट्रांसफार्मर, विश्वसनीय EMC और EMI / EMS / EDS प्रयोगशाला परीक्षणों के साथ मैग्नेटिक घटक। मेडिकल, रेलवे, पीओई, आदि के लिए पावर कनवर्टर समाधान।
YDS ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले पावर सप्लाई और चुंबकीय घटक प्रदान करता है, जो उनकी 25 साल की तकनीक और अनुभव के साथ, YDS सुनिश्चित करता है कि प्रत्येक ग्राहक की मांग पूरी होती है।