Transformador de alta frecuencia SMD de núcleo EP de 3W a 27W para aplicación PoE - Transformador de potencia de alta frecuencia PoE de 3 a 27W con paquete SMD | Fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos con sede en Taiwán | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Transformador de alta frecuencia de 3~27W con núcleo EP. La serie EP está diseñada para una frecuencia de conmutación de 200KHz. Puede ser utilizado en aplicaciones PoE.
YUAN DEAN puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.
¡Cualquier requisito de OEM/ODM es bienvenido! ¡Esperamos colaborar con usted!YDS es un transformador de alta frecuencia SMD de núcleo EP de alta calidad de 3W~27W para aplicaciones PoE, fabricado por Transformador de alta frecuencia SMD PoE de 3W a 27W en Taiwán desde 1990.Producimos diversos productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnéticos, filtros LAN Base-T de 10/100/1G/2.5G/10G, todo tipo de transformadores, inductores, controladores de LED/productos de iluminación y bancos de energía.
Transformador de alta frecuencia SMD de núcleo EP de 3W a 27W para aplicación PoE
Serie PoE EP
Transformador de potencia de alta frecuencia PoE de 3 a 27W con paquete SMD
Transformador de alta frecuencia de 3~27W con núcleo EP. La serie EP está diseñada para una frecuencia de conmutación de 200KHz. Puede ser utilizado en aplicaciones PoE.
YUAN DEAN puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.
¡Cualquier requisito de OEM/ODM es bienvenido! ¡Esperamos colaborar con usted!
Características
- Transformadores para alimentación a través de Ethernet (PoE).
- Diseñado para una frecuencia de conmutación de 200KHz.
- Potencia: 3W ~ 27W
- Voltaje de prueba de aislamiento: 1500 Vrms
- Diseños personalizados disponibles.
Aplicaciones
- equipo informático.
- equipo de Internet.
- Sistema de suministro de energía principal de CA.
- control industrial.
- equipo de telecomunicaciones.
Especificación
- Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C
- Rango de temperatura de almacenamiento: -55°C a +125°C
- Temperatura de reflujo de soldadura: +245°C durante un máximo de 10 segundos
- Disponible versión compatible con RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre los pines del primario cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP10 8PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 10SEP-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida se realiza con los devanados secundarios conectados en paralelo.
EP13 10PIN SMD
| Número de parte | Ratio de Giro Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Entrada | LK ③ Máx (uH) | DCR ④ (Ohmios MÁX) | Esquemático | Voltaje de salida ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 13SEP-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | B | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | A | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | A | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | A | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | A | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200 kHz, 0.2 Vrms, 0 Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
Certificación
- Mecánicos y Dimensiones
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP7 8PIN)
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP10 8PIN)
Mecánica y dimensiones de la serie EP de PoE (EP13 10PIN)
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Con sede en Taiwán desde 1990, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ha sido un fabricante de convertidores de energía, transformadores y componentes magnéticos en la industria de componentes electrónicos. Sus principales productos incluyen transformadores de alta frecuencia SMD de núcleo EP de 3W a 27W para aplicaciones PoE, convertidores DC-DC, convertidores AC-DC, magnéticos RJ45, transformadores convertidores, filtros LAN, transformadores de alta frecuencia, transformadores PoE, inductores y controladores LED, los cuales están aprobados por RoHS con la implementación del sistema ERP.
YDS fue establecido en 1990 en Tainan, Taiwán y nuestra fábrica Ho Mao electronics fue establecida en 1995 en Xiamen, China. Somos el principal fabricante de electrónicos con certificación ISO 9001, ISO 14001 e IATF16949. Producimos diversos productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnéticos, filtros Lan de 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, todo tipo de transformadores, inductores, controladores de LED/productos de iluminación y power bank. ISO 9001 & Convertidor de potencia certificado ISO 14001, IATF16949, transformador de alta frecuencia, componente magnético con pruebas de laboratorio confiables de EMC y EMI / EMS / EDS. Soluciones de convertidores de energía para aplicaciones médicas, ferroviarias, POE, etc.
YDS ha estado ofreciendo a los clientes componentes de suministro de energía y magnéticos de alta calidad, tanto con tecnología avanzada como con 25 años de experiencia, YDS garantiza que se cumplan las demandas de cada cliente.