Transformator wysokiej częstotliwości EP core 3W~27W SMD do zastosowań PoE - Transformator zasilania wysokiej częstotliwości PoE 3~27W z pakietem SMD | Producent zasilaczy i komponentów magnetycznych z siedzibą na Tajwanie | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Transformator o wysokiej częstotliwości 3~27W z rdzeniem EP. Seria EP jest przeznaczona do częstotliwości przełączania 200 kHz. Może być stosowany w aplikacjach PoE.
YUAN DEAN może dostarczyć rozwiązania produkcyjne o wysokiej wydajności oraz produkty dostosowane do indywidualnych potrzeb.
Wszelkie wymagania OEM/ODM są mile widziane. Czekamy na współpracę z Państwem! YDS to wysokiej jakości transformator o częstotliwości wysokiej EP o mocy 3W~27W w obudowie SMD do zastosowań PoE, producent Transformator wysokiej częstotliwości PoE 3W~27W SMD z Tajwanu od 1990 roku.Produkujemy różne produkty, takie jak przetwornik DC/DC, przetwornik AC/DC, RJ45 z magnesami, filtr Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, wszelkiego rodzaju transformator, cewka, sterownik LED/Oświetlenie i power bank.
Transformator wysokiej częstotliwości EP core 3W~27W SMD do zastosowań PoE
Seria PoE EP
Transformator zasilania wysokiej częstotliwości PoE 3~27W z pakietem SMD
Transformator o wysokiej częstotliwości 3~27W z rdzeniem EP. Seria EP jest przeznaczona do częstotliwości przełączania 200 kHz. Może być stosowany w aplikacjach PoE.
YUAN DEAN może dostarczyć rozwiązania produkcyjne o wysokiej wydajności oraz produkty dostosowane do indywidualnych potrzeb.
Wszelkie wymagania OEM/ODM są mile widziane. Czekamy na współpracę z Państwem!
Funkcje
- Transformery do zasilania przez Ethernet (PoE).
- Zaprojektowane dla częstotliwości przełączania 200 kHz.
- Moc: 3W ~ 27W
- Napięcie hipoteczne: 1500 Vrms
- Dostępne projekty niestandardowe.
Aplikacje
- sprzęt komputerowy.
- sprzęt internetowy.
- system zasilania głównego prądu przemiennego.
- sterowanie przemysłowe.
- sprzęt telekomunikacyjny.
Specyfikacja
- Zakres temperatury pracy: -40°C do +125°C
- Zakres temperatury przechowywania: -55°C do +125°C
- Temperatura lutowania reflow: +245°C przez maksymalnie 10 sekund
- Dostępna jest wersja zgodna z RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Numer części | Współczynnik obrotu Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Wejście | LK ③ Maks. (µH) | DCR ④ (Maksymalne ohmy) | Napięcie wyjściowe ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0,182:0,682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 1.60 | 2.60 | 0,045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 1.75 | 0,22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① Stosunek transformacji dotyczy uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
② L(NOM) = Nominalna indukcyjność dla uzwojenia pierwotnego, mierzona przy 200 kHz, 0,1 Vrms, 0 Adc.
③ Indukcyjność wyciekowa mierzona między pinami pierwotnymi przy zwarcie innych pinów.
④ Rezystancja DC dla uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
⑤ Wyjście jest z uzwojeniami wtórnymi połączonymi równolegle.
EP10 8PIN SMD
| Numer części | Współczynnik obrotu Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Wejście | LK ③ Maks. (µH) | DCR ④ (Maksymalne ohmy) | Schemat | Napięcie wyjściowe ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 10WRZ-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0,25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0,182:0,682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1,5 | 0,08 | 0,15 | 0.0075 | A | Vo=3,3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0,444:0,388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1,5 | 0,08 | 0,105 | 0,03 | A | Vo=3,3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0,80 | 0.115 | 0,045 | A | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0,54 | 0,92 | 0,37 | A | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① Stosunek transformacji dotyczy uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
② L(NOM) = Nominalna indukcyjność dla uzwojenia pierwotnego, mierzona przy 200 kHz, 0,1 Vrms, 0 Adc.
③ Indukcyjność wyciekowa mierzona między uzwojeniem pierwotnym a innymi pinami zwartymi.
④ Rezystancja DC dla uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
⑤ Wyjście jest z podłączonymi równolegle uzwojeniami wtórnymi.
EP13 10PIN SMD
| Numer części | Współczynnik obrotu Pri:Sec:AUX ① | L ② (uH ± 10%) | Wejście | LK ③ Maks. (µH) | DCR ④ (Maksymalne ohmy) | Schemat | Napięcie wyjściowe ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pri | Aux | Sec | |||||||
| 13SEP-1213ZNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0,44 | 0,088 | 0,006 | A | Vo=3,3V/13,5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0,167:0,639 | 155,5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0,33 | 0,65 | 0,011 | B | Vo=3,3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0,182:0,682 | 77,4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0,10 | 0,27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77,4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0,8 | 0,22 | 0,25 | 0,018 | A | Vo=5V/13,5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0,292:0,208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7,5 | 0.46 | 0.094 | 0,055 | A | Vo=12V/13,5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77,4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5,0 | 0,10 | 0,27 | 0.075 | A | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0,055 | 0.027 | A | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① Stosunek transformacji dotyczy uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
② L(NOM) = Nominalna indukcyjność dla uzwojenia pierwotnego, mierzona przy 200 kHz, 0,2 Vrms, 0 Adc.
③ Indukcyjność wyciekowa mierzona między uzwojeniem pierwotnym a innymi zaciskami.
④ Rezystancja DC dla uzwojeń wtórnych połączonych równolegle.
⑤ Wyjście jest z uzwojeniami wtórnymi połączonymi równolegle.
Certyfikacja
- Mechanika i wymiary
Mechanika i wymiary serii EP dla PoE (EP7 8PIN)
Mechanika i wymiary serii EP dla PoE (EP10 8PIN)
Mechanika i wymiary serii EP dla PoE (EP13 10PIN)
- Produkty powiązane
Transformator o wysokiej częstotliwości z rdzeniem EFD15 do PoE w technologii SMD
Seria 15SEFD
Transformator o wysokiej częstotliwości cechuje platforma EFD15-SMT i funkcja PoE. Zakres...
Detale
Transformator przewlekany zasilania wysokiej częstotliwości PoE SMD z rdzeniem EFD20
Seria 20SEFD
Platformy EFD20 - transformator wysokiej częstotliwości SMT z funkcją PoE. Zakres mocy serii...
Detale- Pobieranie plików
Transformator wysokoczęstotliwościowy do rozwiązania PoE seria PoE EP
Katalog transformatorów SMD wysokoczęstotliwościowych do rozwiązania PoE 3~27W
Ściągnij
Transformator wysokiej częstotliwości EP core 3W~27W SMD do zastosowań PoE - Transformator zasilania wysokiej częstotliwości PoE 3~27W z pakietem SMD | Producent zasilaczy i komponentów magnetycznych z siedzibą na Tajwanie | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. działa na Tajwanie od 1990 roku i jest producentem przetworników mocy, transformatorów oraz komponentów magnetycznych w branży komponentów elektronicznych. Ich główne produkty obejmują rdzeń EP 3W~27W SMD Wysokoczęstotliwościowy Transformator do zastosowań PoE, przetworniki DC-DC, przetworniki AC-DC, magnesy RJ45, transformatory przetwornikowe, filtry LAN, wysokoczęstotliwościowe transformatory, transformatory PoE, cewki i sterowniki LED, które są zatwierdzone zgodnie z dyrektywą RoHS i wdrożonym systemem ERP.
YDS zostało założone w 1990 roku w Tainan, na Tajwanie, a nasza fabryka Ho Mao electronics została założona w 1995 roku w Xiamen, w Chinach. Jesteśmy wiodącym producentem elektroniki posiadającym certyfikaty ISO 9001, ISO 14001 i IATF16949. Produkujemy różne produkty, takie jak przetwornik DC/DC, przetwornik AC/DC, RJ45 z magnesami, filtr sieciowy 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, wszelkiego rodzaju transformator, cewka, sterownik LED/oświetlenie i power bank. ISO 9001 & Zasilacz certyfikowany zgodnie z ISO 14001 i IATF16949, transformator wysokiej częstotliwości, komponent magnetyczny z wiarygodnymi testami EMC i EMI / EMS / EDS. Rozwiązania konwertera mocy dla medycyny, kolei, POE, itd.
YDS oferuje klientom wysokiej jakości zasilacze i komponenty magnetyczne, zarówno z zaawansowaną technologią, jak i 25-letnim doświadczeniem, YDS zapewnia spełnienie wymagań każdego klienta.