Трансформатор высокой частоты EP core 3W~27W SMD для применения в PoE - Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD | Производитель источников питания и магнитных компонентов на Тайване | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Высокочастотный трансформатор 3~27 Вт с сердечником EP. Серия EP разработана для частоты переключения 200 кГц. Может использоваться в приложениях PoE.
YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.
Мы рады любым OEM/ODM требованиям. С нетерпением ждем сотрудничества с вами!YDS - высококачественное ядро EP мощностью 3W~27W SMD высокочастотного трансформатора для применения в PoE, производимого компанией Трансформатор высокой частоты PoE 3W~27W SMD из Тайваня с 1990 года.Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитными свойствами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T фильтр для локальной сети, все виды трансформаторов, индукторов, светодиодных драйверов/осветительных изделий и портативных зарядных устройств.
Трансформатор высокой частоты EP core 3W~27W SMD для применения в PoE
Серия PoE EP
Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD
Высокочастотный трансформатор 3~27 Вт с сердечником EP. Серия EP разработана для частоты переключения 200 кГц. Может использоваться в приложениях PoE.
YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.
Мы рады любым OEM/ODM требованиям. С нетерпением ждем сотрудничества с вами!
Особенности
- Трансформаторы для передачи питания по Ethernet (PoE).
- Разработаны для частоты переключения 200 кГц.
- Мощность: 3 Вт ~ 27 Вт
- Испытательное напряжение: 1500 В переменного тока
- Возможны индивидуальные проекты.
Приложения
- компьютерное оборудование.
- интернет-оборудование.
- Система основного питания переменного тока.
- Промышленное управление.
- Телекоммуникационное оборудование.
Спецификация
- Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
- Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
- Температура пайки: +245°C, не более 10 секунд
- Доступна версия, соответствующая требованиям RoHS.
EP7 8PIN SMD
| Номер детали | Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омы МАКС) | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 В, 0 А.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
EP10 8PIN SMD
| Номер детали | Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омы МАКС) | Схема | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | |||||||
| 10СЕН-2502ТНЛ | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72В, 300КГц | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | B | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | A | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50В, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | A | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50В, 200КГц | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | A | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | A | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | A | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | A | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | A | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход осуществляется с параллельным подключением вторичных обмоток.
EP13 10PIN SMD
| Номер детали | Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ① | L ② (uH ± 10%) | Ввод | LK ③ Макс. (мкГн) | DCR ④ (Омы МАКС) | Схема | Выходное напряжение ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| При | Аукс | Сек | |||||||
| 13СЕН-1213ЗНЛ | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | A | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | B | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | A | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | A | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | A | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57В, 200КГц | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | A | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57В, 200КГц | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | A | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57В, 200КГц | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | A | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,2 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми в короткое замыкание.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
Сертификация
- Механические характеристики и размеры
Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP7 8PIN)
Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP10 8PIN)
Механические и габаритные размеры серии PoE EP (EP13 10PIN)
- Связанные продукты
Трансформатор с высокой частотой и проводом SMD с ядром EFD15 для применения в PoE
Серия 15SEFD
Трансформатор высокой частоты на платформах EFD15-SMT...
Подробности
Поэ SMD трансформатор с проволочной обмоткой высокой частоты с сердечником EFD20
Серия 20SEFD
Высокочастотный трансформатор платформ EFD20-SMT с функцией...
Подробности- Скачивание файлов
Высокочастотный трансформатор для решения PoE серии PoE EP
3~27W PoE Решение SMD Высокочастотный трансформатор PDF Каталог
Скачать
Трансформатор высокой частоты EP core 3W~27W SMD для применения в PoE - Трансформатор питания высокой частоты PoE 3~27W с корпусом SMD | Производитель и поставщик источников питания и магнитных компонентов на Тайване | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
Основанная в Тайване с 1990 года, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем источников питания, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают EP-ядро 3W~27W SMD высокочастотный трансформатор для применения в PoE, преобразователи DC-DC, преобразователи AC-DC, магниты RJ45, преобразовательные трансформаторы, фильтры LAN, высокочастотные трансформаторы, трансформаторы PoE, индукторы и драйверы LED, которые имеют сертификат RoHS и реализованную систему ERP.
YDS была основана в 1990 году в Тайнане, Тайвань, а наш завод Ho Mao electronics был основан в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы ведущий производитель электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитными элементами, фильтр Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, все виды трансформаторов, индукторов, светодиодных драйверов/осветительных изделий и портативных зарядных устройств. Сертифицированный по стандартам ISO 9001 и ISO 14001, IATF16949 преобразователь питания, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными испытаниями EMC и EMI / EMS / EDS в лаборатории. Решения по преобразованию электроэнергии для медицинских, железнодорожных, POE и других отраслей.
YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты с использованием передовых технологий и 25-летним опытом. YDS гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.