ליבת EP תדר גבוה SMD בטרנספורמטור 3W~27W ליישום PoE - טרנספורמטור כוח תדר גבוה 3~27W PoE עם אריזת SMD | יצרן מתח ורכיבים מגנטיים מבוסס בטייוואן | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
ממיר תדר גבוה 3~27W עם ליבת EP. סדרת EP מעוצבת לתדר מתג של 200KHz. ניתן להשתמש בה ביישומי PoE.
YUAN DEAN יכולה לספק פתרונות ייצור בעלי יעילות גבוהה ומוצרים מותאמים אישית.
כל דרישת OEM/ODM מתקבלת בברכה. אנו מצפים לשתף פעולה איתך! YDS הוא שנאי תדר גבוה באיכות גבוהה מסוג EP עם הספק של 3W~27W עבור יישומי PoE, יצרן מהפך תדר גבוה SMD בטרנספורמטור 3W~27W PoE מטייוואן מאז 1990.אנו מייצרים מוצרים שונים כגון ממיר DC/DC, ממיר AC/DC, RJ45 עם מגנטים, פילטר Base-T Lan 10/100/1G/2.5G/10G, כל מיני שנאים, אינדוקטורים, מוצרים לנהג LED/תאורה וסוללת גיבוי.
ליבת EP תדר גבוה SMD בטרנספורמטור 3W~27W ליישום PoE
סדרת EP PoE
טרנספורמטור כוח תדר גבוה 3~27W PoE עם אריזת SMD
ממיר תדר גבוה 3~27W עם ליבת EP. סדרת EP מעוצבת לתדר מתג של 200KHz. ניתן להשתמש בה ביישומי PoE.
YUAN DEAN יכולה לספק פתרונות ייצור בעלי יעילות גבוהה ומוצרים מותאמים אישית.
כל דרישת OEM/ODM מתקבלת בברכה. אנו מצפים לשתף פעולה איתך!
תכונות
- ממירים עבור כוח על גבי את'רנט (PoE).
- מעוצב לתדר מתג של 200KHz.
- כוח: 3W ~ 27W
- מתח היפוט: 1500 Vrms
- עיצובים מותאמים אישית זמינים.
יישומים
- ציוד מחשבים.
- ציוד אינטרנט.
- מערכת אספקת חשמל ראשית AC.
- בקרת תעשייה.
- ציוד טלקום.
מפרט
- טווח טמפרטורת פעולה: -40°C עד +125°C
- טווח טמפרטורת אחסון: -55°C עד +125°C
- טמפרטורת ריתוך מחדש: +245°C למשך 10 שניות מקסימום
- גרסה תואמת RoHS זמינה.
EP7 8PIN SMD
| מספר חלק | יחס סיבוב ראשי:משני:עזר ① | L ② (uH ± 10%) | קלט | LK ③ מקסימום (מיקרו הנרי) | DCR ④ (אוהם מקסימלי) | מתח הפלט ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| פרי | עוז | משני | ||||||
| 07ספט-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07ספט-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W, 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W, 12V/20mA |
① יחס הסיבובים הוא עם הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
② L(NOM) = אינדוקטיביות נומינלית היא עבור סליל ראשי, נמדדת ב-200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ אינדוקטיביות דליפה נמדדת בין פינים אחרים של הסליל הראשי קצרים.
④ DCR עבור הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
⑤ הפלט הוא עם הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
EP10 8PIN SMD
| מספר חלק | יחס סיבוב ראשי:משני:עזר ① | L ② (uH ± 10%) | קלט | LK ③ מקסימום (מיקרו הנרי) | DCR ④ (אוהם מקסימלי) | סכמטי | מתח הפלט ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| פרי | עוז | משני | |||||||
| 10ספט-2502TNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | ב | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | א | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10ספט-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | א | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10ספט-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | א | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10ספט-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | א | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10ספט-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | א | Vo=5V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | א | Vo=5V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | א | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | א | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① יחס הסיבובים הוא כאשר הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
② L(NOM) = אינדוקטיביות נומינלית היא עבור סליל ראשי, נמדדת ב-200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ אינדוקטיביות דליפה נמדדת בין הראשי עם פינים אחרים מקוצרים.
④ DCR עבור הסלילים המשניים המחוברים במקביל.
⑤ הפלט הוא עם הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
EP13 10PIN SMD
| מספר חלק | יחס סיבוב ראשי:משני:עזר ① | L ② (uH ± 10%) | קלט | LK ③ מקסימום (מיקרו הנרי) | DCR ④ (אוהם מקסימלי) | סכמטי | מתח הפלט ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| פרי | עוז | משני | |||||||
| 13ספט-1213זנל | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | א | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | ב | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | א | Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA |
| 13ספט-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | א | Vo=5V/13.5W, 8V/20mA |
| 13ספט-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | א | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | א | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | א | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | א | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① יחס הסיבובים הוא כאשר הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
② L(NOM) = אינדוקטיביות נומינלית היא עבור סליל ראשי, נמדדת ב-200KHz, 0.2Vrms, 0Adc.
③ אינדוקטיביות דליפה נמדדת בין הראשי עם פינים אחרים מקוצרים.
④ DCR עבור הסלילים המשניים המחוברים במקביל.
⑤ הפלט הוא כאשר הסלילים המשניים מחוברים במקביל.
אישור
- מכאניקה ומידות
מכאניקה ומידות סדרת EP PoE (EP7 8PIN)
מכאניקה ומידות סדרת EP PoE (EP10 8PIN)
מכאניקה ומידות סדרת EP PoE (EP13 10PIN)
- מוצרים קשורים
ממיר בתדר גבוה SMD עם ליבת EFD15 ליישומי PoE
סדרת 15SEFD
מאפייני טרנספורמטור בתדר גבוה כוללים פלטפורמות EFD15-SMT...
Details
שנאי כוח תדר גבוה עם חוטים SMD PoE עם ליבת EFD20
סדרת 20SEFD
פלטפורמות EFD20 - שנאי תדר גבוה SMT עם פונקציית PoE. טווח...
Details- הורדת קבצים
ליבת EP תדר גבוה SMD בטרנספורמטור 3W~27W ליישום PoE - טרנספורמטור כוח תדר גבוה 3~27W PoE עם אריזת SMD | יצרן ספקי כוח ורכיבים מגנטיים מבוסס טייוואן | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
ממוקמת בטייוואן מאז 1990, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. הייתה יצרנית ממירי כוח, שנאים, רכיבי מגנטיים בתעשיית רכיבי אלקטרוניקה. המוצרים העיקריים שלהם כוללים שנאי תדר גבוה SMD 3W~27W ליישום PoE, ממירי DC-DC, ממירי AC-DC, מגנטיות RJ45, שנאי ממירים, מסנני LAN, שנאי תדר גבוה, שנאי POE, אינדוקטורים ומנהלי LED, אשר מאושרים על ידי RoHS עם מערכת ERP מיושמת.
YDS הוקמה בשנת 1990 בטיינאן, טייוואן, ומפעלנו הו מאו אלקטרוניקה הוקם בשנת 1995 בשיאמן, סין. אנחנו היצרן המוביל בתחום האלקטרוניקה עם תעודות ISO 9001, ISO 14001 ו-IATF16949. אנחנו מייצרים מוצרים שונים כגון ממיר DC/DC, ממיר AC/DC, RJ45 עם מגנטים, פילטר LAN Base-T 10/100/1G/2.5G/10G, כל מיני שנאים, אינדוקטורים, מוצרים לנהיגת LED/תאורה וסוללת גיבוי. ממיר כוח מוסמך ISO 9001 & ISO 14001, IATF16949, טרנספורמטור בתדר גבוה, רכיב מגנטי עם בדיקות מעבדה אמינות EMC ו-EMI / EMS / EDS. פתרונות ממירי כוח עבור רפואי, רכבות, POE וכו'.
YDS מציעה ללקוחותיה ספקי כוח ורכיבים מגנטיים באיכות גבוהה, עם טכנולוגיה מתקדמת ו-25 שנות ניסיון, YDS מבטיחה שכל דרישות הלקוח ייענו.