3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP

Серия PoE EP

3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты

Трансформаторы предназначены для работы на частоте переключения 200 кГц. Серия EP имеет функцию PoE, диапазон мощности составляет 3~27W. Есть широкий выбор размеров и значений.

YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.

Узнать сейчас

Высокочастотный трансформатор PoE 3W ~ 27W SMD (Серия PoE EP)

Особенности

Трансформаторы для питания по Ethernet (PoE).
Разработано для частоты переключения 200 кГц.
Мощность: 3W ~ 27W
Напряжение Hipot: 1500 Vrms
Доступны индивидуальные разработки.

Приложения

компьютерное оборудование.
интернет-оборудование.
Система основного питания переменного тока.
Промышленное управление.
Телекоммуникационное оборудование.

Спецификация

Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
Температура повторного плавления припоя: +245°C максимум 10 секунд
Доступна версия, соответствующая RoHS.

EP7 8PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Доп	Сек	Выходное напряжение ⑤
07СЕН-5011СНЛ	1:0.083:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.015	Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА
07СЕН-3111СНЛ	1:0.182:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.045	Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07СЕН-5012SNL	1:0.125:0.208	500	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.215	0.035	Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07СЕН-3112SNL	1:0.273:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.65	0.087	Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07СЕН-5211SNL	1:0.286:0.204	521	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	1.75	0.22	0.100	Vo=12В/3Вт, 8В/20мА
07СЕН-3113СНЛ	1:0.682:0.682	310	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	1.60	2.60	0.55	Vo=12В/3Вт, 12В/20мА

① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между другими зажатыми выводами первичной обмотки.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с параллельно соединенными вторичными обмотками.

EP10 8PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Схема	Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Доп	Сек	Схема	Выходное напряжение ⑤
10СЕН-2502ТНЛ	1:0.100:0.150	25.2	36 ~ 72В, 300КГц	2.0	0.25	0.02	0.0035	B	Vo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL	1:0.083:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.0075	А	Vo=3.3V/7W, 8V/20mA
10СЕН-1511СНЛ	1:0.182:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.53	0.90	0.031	А	Vo=3.3В/7Вт, 12В/20мА
10СЕН-2001СНЛ	1:0.222:0.555	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.15	0.0075	А	Vo=3.3V/10W, 8V/20mA
10СЕН-2001ФНЛ	1:0.444:0.388	20.4	9 ~ 50В, 200КГц	1.5	0.08	0.105	0.03	А	Vo=3.3V/10W, 5V/20mA
10СЕН-2513СНЛ	1:0.125:0.208	253	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.42	0.115	0.016	А	Vo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL	1:0.273:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.57	1.00	0.040	А	Vo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL	1:0.286:0.204	264	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.80	0.115	0.045	А	Vo=12В/7Вт, 8В/20мА
10СЕН-1611СНЛ	1:0.682:0.682	155	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.54	0.92	0.37	А	Vo=12В/7Вт, 12В/20мА

① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткозамкнутыми другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с подключенными параллельно вторичными обмотками.

EP13 10PIN SMD

Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	DCR ④ (Омы МАКС)			Схема	Выходное напряжение ⑤
Номер детали	Показатель поворота Осн:Всп:Вспом ①	L ② (uH ± 10%)	Ввод	LK ③ Макс. (мкГн)	При	Доп	Сек	Схема	Выходное напряжение ⑤
13СЕН-1213ЗНЛ	1:0.083:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.44	0.088	0.006	А	Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13СЕН-1611AUNL	1:0.167:0.639	155.5	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.33	0.65	0.011	B	Vo=3.3V/11W, 12V/20mA
13СЕН-7801ZNL	1:0.182:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.10	0.27	0.0085	А	Vo=3.3V/13.5W, 12V/20mA
13СЕН-1212ZNL	1:0.125:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0.012	А	Vo=5V/13.5W, 8V/20mA
13СЕН-7701ZNL	1:0.273:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	0.8	0.22	0.25	0.018	А	Vo=5В/13.5Вт, 12В/20мА
13СЕН-1211ZNL	1:0.292:0.208	127	33 ~ 57В, 200КГц	7.5	0.46	0.094	0.055	А	Vo=12В/13.5Вт, 8В/20мА
13СЕН-7802ZNL	1:0.682:0.682	77.4	33 ~ 57В, 200КГц	5.0	0.10	0.27	0.075	А	Vo=12В/13.5Вт, 12В/20мА
13СЕН-2801ZNL	1:0.470:0.294	28.9	33 ~ 57В, 200КГц	1.0	0.058	0.055	0.027	А	Vo=15В/27Вт, 8В/20мА

① Соотношение витков с параллельно соединенными вторичными обмотками.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная на 200КГц, 0.2Vrms, 0Adc.
③ Индуктивность утечки измеряется между первичной обмоткой с короткозамкнутыми другими выводами.
④ DCR для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с параллельно соединенными вторичными обмотками.

Сертификация

Механические характеристики и размеры

Механические характеристики и размеры серии PoE EP (EP7 8PIN)
Механические характеристики и размеры серии PoE EP (EP10 8PIN)
Механические характеристики и размеры серии PoE EP (EP13 10PIN)

Связанные продукты

PoE SMD Высокочастотный трансформатор с платформами EFD15-SMT

Серия 15SEFD

Высокочастотный проводной трансформатор с платформами...

Подробности

Высокочастотный трансформатор PoE SMD с платформами EFD20-SMT

Серия 20SEFD

Трансформатор высокой частоты с платформами EFD20-SMT...

Подробности

Скачивание файлов

Высокочастотный трансформатор для решения PoE серии PoE EP

Каталог SMD высокочастотных трансформаторов решения PoE 3~27 Вт

Скачать

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP - 3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты | Тайваньский производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

С 1990 года, базируясь на Тайване, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем преобразователей мощности, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают в себя 3W~27W PoE SMD трансформаторы высокой частоты с EP сердечником, DC-DC преобразователи, AC-DC преобразователи, RJ45 магнитные компоненты, преобразовательные трансформаторы, LAN фильтры, трансформаторы высокой частоты, POE трансформаторы, индуктивности и драйверы для светодиодов, которые соответствуют стандартам RoHS и имеют внедренную ERP систему.

YDS была основана в 1990 году в Тайчжун, Тайвань, а наша фабрика Ho Mao electronics была основана в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы являемся ведущим производителем электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитами, 10/100/1G/2.5G/10G Base-T Lan фильтр, всевозможные трансформаторы, индуктивности, драйверы LED/осветительные продукты и аккумуляторы. Сертифицированный по ISO 9001 и ISO 14001, IATF16949 преобразователь мощности, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными лабораторными испытаниями на ЭМС и ЭМИ / ЭМС / ЭДС. Решения по преобразователям мощности для медицины, железных дорог, POE и т.д.

YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты, используя передовые технологии и 25-летний опыт, YDS гарантирует удовлетворение требований каждого клиента.

3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты / Более 32 лет производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.