3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты / Более 32 лет производитель источников питания и магнитных компонентов | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты / YDS была основана в 1990 году в Тайнане, Тайване, а наш завод Ho Mao electronics был основан в 1995 году в Сямэне, Китае. Мы ведущий производитель электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949.

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP - 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты
  • 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP - 3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP

Серия PoE EP

3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты

Трансформаторы предназначены для работы на частоте переключения 200 кГц. Серия EP имеет функцию PoE, диапазон мощности составляет 3~27W. Есть широкий выбор размеров и значений.

YUAN DEAN может предоставить решения для высокоэффективного производства и индивидуальные продукты.

Особенности
  • Трансформаторы для передачи питания по Ethernet (PoE).
  • Разработаны для частоты переключения 200 кГц.
  • Мощность: 3 Вт ~ 27 Вт
  • Испытательное напряжение: 1500 В переменного тока
  • Возможны индивидуальные проекты.
Приложения
  • компьютерное оборудование.
  • интернет-оборудование.
  • система основного питания переменного тока.
  • промышленное управление.
  • телекоммуникационное оборудование.
Спецификация
  • Диапазон рабочих температур: -40°C до +125°C
  • Диапазон температур хранения: -55°C до +125°C
  • Температура пайки: +245°C, не более 10 секунд
  • Доступна версия, соответствующая требованиям RoHS.
EP7 8PIN SMD
Номер деталиПоказатель поворота
Осн:Всп:Вспом
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс. (мкГн)
DCR ④
(Омы МАКС)
Выходное напряжение
ПриАуксСек
07SEP-5011SNL1:0.083:0.20850033 ~ 57В, 200КГц7.51.750.2150.015Vo=3.3В/3Вт, 8В/20мА
07SEP-3111SNL1:0.182:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.600.045Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07SEP-5012SNL1:0.125:0.20850033 ~ 57В, 200КГц7.51.750.2150.035Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07SEP-3112SNL1:0.273:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.650.087Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07SEP-5211SNL1:0.286:0.20452133 ~ 57В, 200КГц7.51.750.220.100Vo=12V/3W, 8V/20mA
07SEP-3113SNL1:0.682:0.68231033 ~ 57В, 200КГц5.01.602.600.55Vo=12V/3W, 12V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 В, 0 А.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.

EP10 8PIN SMD
Номер деталиПоказатель поворота
Осн:Всп:Вспом
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс. (мкГн)
DCR ④
(Омы МАКС)
СхемаВыходное напряжение
ПриАуксСек
10СЕН-2502ТНЛ1:0.100:0.15025.236 ~ 72В,
300КГц
2.00.250.020.0035BVo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL1:0.083:0.20825333 ~ 57В,
200КГц
7.50.420.1150.0075AVo=3.3V/7W, 8V/20mA
10SEP-1511SNL1:0.182:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.530.900.031AVo=3.3V/7W, 12V/20mA
10SEP-2001SNL1:0.222:0.55520.49 ~ 50В,
200КГц
1.50.080.150.0075AVo=3.3V/10W, 8V/20mA
10SEP-2001FNL1:0.444:0.38820.49 ~ 50В,
200КГц
1.50.080.1050.03AVo=3.3V/10W, 5V/20mA
10SEP-2513SNL1:0.125:0.20825333 ~ 57В,
200КГц
7.50.420.1150.016AVo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL1:0.273:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.571.000.040AVo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL1:0.286:0.20426433 ~ 57В,
200КГц
7.50.800.1150.045AVo=12V/7W, 8V/20mA
10SEP-1611SNL1:0.682:0.68215533 ~ 57В,
200КГц
5.00.540.920.37AVo=12V/7W, 12V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,1 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми вместе.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход осуществляется с параллельным подключением вторичных обмоток.

EP13 10PIN SMD
Номер деталиПоказатель поворота
Осн:Всп:Вспом
L ②
(uH ± 10%)
ВводLK ③
Макс. (мкГн)
DCR ④
(Омы МАКС)
СхемаВыходное напряжение
ПриАуксСек
13СЕН-1213ЗНЛ1:0.083:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.440.0880.006AVo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL1:0.167:0.639155.533 ~ 57В,
200КГц
5.00.330.650.011BVo=3.3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL1:0.182:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
5.00.100.270.0085AVo=3.3V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1212ZNL1:0.125:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.460.0940.012AVo=5V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7701ZNL1:0.273:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
0.80.220.250.018AVo=5V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1211ZNL1:0.292:0.20812733 ~ 57В,
200КГц
7.50.460.0940.055AVo=12V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7802ZNL1:0.682:0.68277.433 ~ 57В,
200КГц
5.00.100.270.075AVo=12V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-2801ZNL1:0.470:0.29428.933 ~ 57В,
200КГц
1.00.0580.0550.027AVo=15V/27W, 8V/20mA

① Отношение числа витков с вторичными обмотками, соединенными параллельно.
② L(NOM) = Номинальная индуктивность для первичной обмотки, измеренная при 200 кГц, 0,2 Вэф, 0 А постоянного тока.
③ Утечка индуктивности, измеренная между первичной обмоткой и другими контактами, замкнутыми в короткое замыкание.
④ Сопротивление постоянному току для вторичных обмоток, соединенных параллельно.
⑤ Выход с вторичными обмотками, соединенными параллельно.

Сертификация
Механические характеристики и размеры
Связанные продукты
PoE SMD Высокочастотный трансформатор с платформами EFD15-SMT - PoE EFD15 платформы-SMT Высокочастотный проводной трансформатор
PoE SMD Высокочастотный трансформатор с платформами EFD15-SMT
Серия 15SEFD

Высокочастотный проводной трансформатор с платформами...

Подробности
Высокочастотный трансформатор PoE SMD с платформами EFD20-SMT - Трансформатор с намоткой провода высокой частоты PoE EFD20 платформы-SMT
Высокочастотный трансформатор PoE SMD с платформами EFD20-SMT
Серия 20SEFD

Трансформатор высокой частоты с платформами EFD20-SMT...

Подробности
Скачивание файлов
Высокочастотный трансформатор для решения PoE серии PoE EP
Высокочастотный трансформатор для решения PoE серии PoE EP

Каталог SMD высокочастотных трансформаторов решения PoE 3~27 Вт

Скачать

Продукция

3W~27W PoE SMD трансформатор высокой частоты с сердечником EP - 3~27W PoE SMD трансформатор мощности высокой частоты | Производитель и поставщик источников питания и магнитных компонентов на Тайване | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Основанная в Тайване с 1990 года, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. является производителем источников питания, трансформаторов и магнитных компонентов в индустрии электронных компонентов. Их основные продукты включают 3W~27W PoE SMD высокочастотные трансформаторы с EP-ядром, DC-DC преобразователи, AC-DC преобразователи, RJ45 магниты, преобразовательные трансформаторы, LAN фильтры, высокочастотные трансформаторы, POE трансформаторы, индукторы и светодиодные драйверы, которые имеют сертификат RoHS и реализованную систему ERP.

YDS была основана в 1990 году в Тайнане, Тайвань, а наш завод Ho Mao electronics был основан в 1995 году в Сямэне, Китай. Мы ведущий производитель электроники с сертификатами ISO 9001, ISO 14001 и IATF16949. Мы производим различные продукты, такие как DC/DC преобразователь, AC/DC преобразователь, RJ45 с магнитными элементами, фильтр Lan 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, все виды трансформаторов, индукторов, светодиодных драйверов/осветительных изделий и портативных зарядных устройств. ISO 9001 & Сертифицированный по ISO 14001 и IATF16949 преобразователь мощности, высокочастотный трансформатор, магнитный компонент с надежными лабораторными испытаниями на ЭМС и ЭМИ / ЭМС / ЭДС. Решения по преобразованию электроэнергии для медицинских, железнодорожных, POE и других отраслей.

YDS предлагает клиентам высококачественные источники питания и магнитные компоненты с использованием передовых технологий и 25-летним опытом. YDS гарантирует удовлетворение потребностей каждого клиента.