Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W / Más de 32 años de fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W / YDS fue establecido en 1990 en Tainan, Taiwán y nuestra fábrica Ho Mao electronics fue establecida en 1995 en Xiamen, China. Somos el principal fabricante de electrónica con certificación ISO 9001, ISO 14001 e IATF16949.

Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP - Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W
  • Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP - Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W

Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP

Serie PoE EP

Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W

Los transformadores están diseñados para una frecuencia de conmutación de 200 kHz. La serie EP tiene función PoE, con un rango de potencia de 3 a 27 W. Hay una amplia variedad de tamaños y valores para elegir.

'Yuan Dean' puede proporcionar soluciones de producción de alta eficiencia y productos personalizados.

Características
  • Transformadores para alimentación a través de Ethernet (PoE).
  • Diseñado para una frecuencia de conmutación de 200KHz.
  • Potencia: 3W ~ 27W
  • Voltaje de prueba de aislamiento: 1500 Vrms
  • Diseños personalizados disponibles.
Aplicaciones
  • equipo informático.
  • equipo de Internet.
  • Sistema de suministro de energía principal de CA.
  • control industrial.
  • equipo de telecomunicaciones.
Especificación
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -40°C a +125°C
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -55°C a +125°C
  • Temperatura de reflujo de soldadura: +245°C durante un máximo de 10 segundos
  • Disponible versión compatible con RoHS.
EP7 8PIN SMD
Número de parteRatio de Giro
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
EntradaLK ③
Máx (uH)
DCR ④
(Ohmios MÁX)
Voltaje de salida
PriAuxSec
07SEP-5011SNL1:0.083:0.20850033 ~ 57V, 200KHZ7.51.750.2150.015Vo=3.3V/3W, 8V/20mA
07SEP-3111SNL1:0.182:0.68231033 ~ 57V, 200KHZ5.01.602.600.045Vo=3.3V/3W, 12V/20mA
07SEP-5012SNL1:0.125:0.20850033 ~ 57V, 200KHZ7.51.750.2150.035Vo=5.00V/3W, 8V/20mA
07SEP-3112SNL1:0.273:0.68231033 ~ 57V, 200KHZ5.01.602.650.087Vo=5.00V/3W, 12V/20mA
07SEP-5211SNL1:0.286:0.20452133 ~ 57V, 200KHZ7.51.750.220.100Vo=12V/3W, 8V/20mA
07SEP-3113SNL1:0.682:0.68231033 ~ 57V, 200KHZ5.01.602.600.55Vo=12V/3W, 12V/20mA

① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre los pines del primario cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.

EP10 8PIN SMD
Número de parteRatio de Giro
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
EntradaLK ③
Máx (uH)
DCR ④
(Ohmios MÁX)
EsquemáticoVoltaje de salida
PriAuxSec
10SEP-2502TNL1:0.100:0.15025.236 ~ 72V,
300KHZ
2.00.250.020.0035BVo=3.3V/10W, 5V/100mA
10SEP-2512SNL1:0.083:0.20825333 ~ 57V,
200KHZ
7.50.420.1150.0075AVo=3.3V/7W, 8V/20mA
10SEP-1511SNL1:0.182:0.68215533 ~ 57V,
200KHZ
5.00.530.900.031AVo=3.3V/7W, 12V/20mA
10SEP-2001SNL1:0.222:0.55520.49 ~ 50V,
200KHZ
1.50.080.150.0075AVo=3.3V/10W, 8V/20mA
10SEP-2001FNL1:0.444:0.38820.49 ~ 50V,
200KHZ
1.50.080.1050.03AVo=3.3V/10W, 5V/20mA
10SEP-2513SNL1:0.125:0.20825333 ~ 57V,
200KHZ
7.50.420.1150.016AVo=5V/7W, 8V/20mA
10SEP-1512SNL1:0.273:0.68215533 ~ 57V,
200KHZ
5.00.571.000.040AVo=5V/7W, 12V/20mA
10SEP-2611SNL1:0.286:0.20426433 ~ 57V,
200KHZ
7.50.800.1150.045AVo=12V/7W, 8V/20mA
10SEP-1611SNL1:0.682:0.68215533 ~ 57V,
200KHZ
5.00.540.920.37AVo=12V/7W, 12V/20mA

① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200KHz, 0.1Vrms, 0Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida se realiza con los devanados secundarios conectados en paralelo.

EP13 10PIN SMD
Número de parteRatio de Giro
Pri:Sec:AUX
L ②
(uH ± 10%)
EntradaLK ③
Máx (uH)
DCR ④
(Ohmios MÁX)
EsquemáticoVoltaje de salida
PriAuxSec
13SEP-1213ZNL1:0.083:0.20812733 ~ 57V,
200KHZ
7.50.440.0880.006AVo=3.3V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-1611AUNL1:0.167:0.639155.533 ~ 57V,
200KHZ
5.00.330.650.011BVo=3.3V/11W, 12V/20mA
13SEP-7801ZNL1:0.182:0.68277.433 ~ 57V,
200KHZ
5.00.100.270.0085AVo=3.3V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1212ZNL1:0.125:0.20812733 ~ 57V,
200KHZ
7.50.460.0940.012AVo=5V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7701ZNL1:0.273:0.68277.433 ~ 57V,
200KHZ
0.80.220.250.018AVo=5V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-1211ZNL1:0.292:0.20812733 ~ 57V,
200KHZ
7.50.460.0940.055AVo=12V/13.5W, 8V/20mA
13SEP-7802ZNL1:0.682:0.68277.433 ~ 57V,
200KHZ
5.00.100.270.075AVo=12V/13.5W, 12V/20mA
13SEP-2801ZNL1:0.470:0.29428.933 ~ 57V,
200KHZ
1.00.0580.0550.027AVo=15V/27W, 8V/20mA

① La relación de vueltas es con los devanados secundarios conectados en paralelo.
② L(NOM) = Inductancia nominal para el devanado primario, medida a 200 kHz, 0.2 Vrms, 0 Adc.
③ Inductancia de fuga medida entre el primario y otros pines cortocircuitados.
④ DCR para los devanados secundarios conectados en paralelo.
⑤ La salida es con los devanados secundarios conectados en paralelo.

Certificación
Mecánicos y Dimensiones
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Transformador SMD de alta frecuencia PoE de 3W a 27W con núcleo EP - Transformador de potencia SMD de alta frecuencia PoE de 3 a 27W | Fabricante de fuentes de alimentación y componentes magnéticos con sede en Taiwán | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.

Con sede en Taiwán desde 1990, YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. ha sido un fabricante de convertidores de energía, transformadores y componentes magnéticos en la industria de componentes electrónicos. Sus principales productos incluyen transformadores de alta frecuencia SMD PoE de 3W a 27W con núcleo EP, convertidores DC-DC, convertidores AC-DC, magnéticos RJ45, transformadores convertidores, filtros LAN, transformadores de alta frecuencia, transformadores PoE, inductores y controladores LED, los cuales están aprobados por RoHS con la implementación del sistema ERP.

YDS fue establecido en 1990 en Tainan, Taiwán y nuestra fábrica Ho Mao electronics fue establecida en 1995 en Xiamen, China. Somos el principal fabricante de electrónicos con certificación ISO 9001, ISO 14001 e IATF16949. Producimos diversos productos como convertidores DC/DC, convertidores AC/DC, RJ45 con magnéticos, filtros Lan de 10/100/1G/2.5G/10G Base-T, todo tipo de transformadores, inductores, controladores de LED/productos de iluminación y power bank. Convertidor de energía certificado ISO 9001 y ISO 14001, IATF16949, transformador de alta frecuencia y componente magnético con pruebas confiables de EMC y EMI / EMS / EDS en laboratorio. Soluciones de convertidores de energía para aplicaciones médicas, ferroviarias, POE, etc.

YDS ha estado ofreciendo a los clientes componentes de suministro de energía y magnéticos de alta calidad, tanto con tecnología avanzada como con 25 años de experiencia, YDS garantiza que se cumplan las demandas de cada cliente.