محول عالي التردد SMD PoE 3W~27W مع نواة EP - محول طاقة عالي التردد SMD PoE 3~27W | الشركة الصينية المتخصصة في مزودات الطاقة والمكونات المغناطيسية | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
تم تصميم المحولات لتردد تبديل 200 كيلوهرتز. سلسلة EP تحتوي على وظيفة PoE، نطاق الطاقة هو 3~27 واط. هناك مجموعة واسعة من الأحجام والقيم للاختيار من بينها.
يمكن لـYUAN DEAN تقديم حلول إنتاج عالية الكفاءة ومنتجات مخصصة. YDS هو محول عالي الجودة بتردد عالٍ 3W~27W PoE SMD مع نواة EP، محول عالي التردد SMD PoE 3W~27W مصنع من تايوان منذ عام 1990.نحن ننتج مجموعة متنوعة من المنتجات مثل محول DC/DC، محول AC/DC، RJ45 مع مغناطيس، فلتر LAN من نوع Base-T بسرعات 10/100/1G/2.5G/10G، جميع أنواع المحولات، المحاثات، منتجات قيادة LED/الإضاءة وبنك الطاقة.
محول عالي التردد SMD PoE 3W~27W مع نواة EP
سلسلة PoE EP
محول طاقة عالي التردد SMD PoE 3~27W
تم تصميم المحولات لتردد تبديل 200 كيلوهرتز. سلسلة EP تحتوي على وظيفة PoE، نطاق الطاقة هو 3~27 واط. هناك مجموعة واسعة من الأحجام والقيم للاختيار من بينها.
يمكن لـYUAN DEAN تقديم حلول إنتاج عالية الكفاءة ومنتجات مخصصة.
الميزات
- محولات لتغذية الطاقة عبر الإيثرنت (PoE).
- مصممة لتردد تبديل 200 كيلوهرتز.
- الطاقة: 3 واط ~ 27 واط
- جهد الاختبار: 1500 فولت RMS
- تصاميم مخصصة متاحة.
التطبيقات
- معدات الكمبيوتر.
- معدات الإنترنت.
- نظام إمداد الطاقة الرئيسي AC.
- التحكم الصناعي.
- معدات الاتصالات.
المواصفات
- نطاق درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
- نطاق درجة حرارة التخزين: -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية
- درجة حرارة إعادة تدفق اللحام: +245 درجة مئوية لمدة 10 ثوانٍ كحد أقصى
- نسخة متوافقة مع RoHS متاحة.
EP7 8PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | إدخال | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| بري | أوكس | ثانوي | ||||||
| 07SEP-5011SNL | 1:0.083:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.015 | Vo=3.3V/3W, 8V/20mA |
| 07SEP-3111SNL | 1:0.182:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.045 | Vo=3.3V/3W، 12V/20mA |
| 07SEP-5012SNL | 1:0.125:0.208 | 500 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.215 | 0.035 | Vo=5.00V/3W، 8V/20mA |
| 07SEP-3112SNL | 1:0.273:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.65 | 0.087 | Vo=5.00V/3W، 12V/20mA |
| 07SEP-5211SNL | 1:0.286:0.204 | 521 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 1.75 | 0.22 | 0.100 | Vo=12V/3W، 8V/20mA |
| 07SEP-3113SNL | 1:0.682:0.682 | 310 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 1.60 | 2.60 | 0.55 | Vo=12V/3W، 12V/20mA |
① نسبة التحويل هي مع لفات الثانوي متصلة بالتوازي.
② L(NOM) = الحث الاسمي هو للملف الأول، مقاس عند 200KHz، 0.1Vrms، 0Adc.
③ الحث التسربي مقاس بين دبابيس الملف الأول الأخرى الموصلة.
④ DCR لللفات الثانوية المتصلة بالتوازي.
⑤ الناتج هو مع اللفات الثانوية متصلة بالتوازي.
EP10 8PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | إدخال | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | مخطط | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| بري | أوكس | ثانوي | |||||||
| 10سبتمبر-2502تNL | 1:0.100:0.150 | 25.2 | 36 ~ 72V, 300KHZ | 2.0 | 0.25 | 0.02 | 0.0035 | ب | Vo=3.3V/10W, 5V/100mA |
| 10SEP-2512SNL | 1:0.083:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.0075 | أ | Vo=3.3V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1511SNL | 1:0.182:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.53 | 0.90 | 0.031 | أ | Vo=3.3V/7W, 12V/20mA |
| 10SEP-2001SNL | 1:0.222:0.555 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.15 | 0.0075 | أ | Vo=3.3V/10W, 8V/20mA |
| 10SEP-2001FNL | 1:0.444:0.388 | 20.4 | 9 ~ 50V, 200KHZ | 1.5 | 0.08 | 0.105 | 0.03 | أ | Vo=3.3V/10W, 5V/20mA |
| 10SEP-2513SNL | 1:0.125:0.208 | 253 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.42 | 0.115 | 0.016 | أ | Vo=5V/7W، 8V/20mA |
| 10SEP-1512SNL | 1:0.273:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.57 | 1.00 | 0.040 | أ | Vo=5V/7W، 12V/20mA |
| 10SEP-2611SNL | 1:0.286:0.204 | 264 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.80 | 0.115 | 0.045 | أ | Vo=12V/7W, 8V/20mA |
| 10SEP-1611SNL | 1:0.682:0.682 | 155 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.54 | 0.92 | 0.37 | أ | Vo=12V/7W, 12V/20mA |
① نسبة التحويل تكون مع لفات الثانوي متصلة بالتوازي.
② L(NOM) = الحث الاسمي هو للملف الأول، مقاس عند 200KHz، 0.1Vrms، 0Adc.
③ الحث التسربي مقاس بين الملف الأول مع توصيل دبابيس أخرى.
④ DCR لللفات الثانوية المتصلة بالتوازي.
⑤ الناتج هو مع الملفات الثانوية متصلة بالتوازي.
EP13 10PIN SMD
| رقم الجزء | نسبة الدوران الأساسي:الثانوي:المساعد ① | الطول ② (± 10٪) | إدخال | LK ③ الحد الأقصى (ميكروهنري) | DCR ④ (أومز الحد الأقصى) | مخطط | جهد الإخراج ⑤ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| بري | أوكس | ثانوي | |||||||
| 13سبتمبر-1213زNL | 1:0.083:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.44 | 0.088 | 0.006 | أ | Vo=3.3V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-1611AUNL | 1:0.167:0.639 | 155.5 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.33 | 0.65 | 0.011 | ب | Vo=3.3V/11W, 12V/20mA |
| 13SEP-7801ZNL | 1:0.182:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.0085 | أ | Vo=3.3V/13.5W، 12V/20mA |
| 13SEP-1212ZNL | 1:0.125:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.012 | أ | Vo=5V/13.5W، 8V/20mA |
| 13SEP-7701ZNL | 1:0.273:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 0.8 | 0.22 | 0.25 | 0.018 | أ | Vo=5V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-1211ZNL | 1:0.292:0.208 | 127 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 7.5 | 0.46 | 0.094 | 0.055 | أ | Vo=12V/13.5W, 8V/20mA |
| 13SEP-7802ZNL | 1:0.682:0.682 | 77.4 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 5.0 | 0.10 | 0.27 | 0.075 | أ | Vo=12V/13.5W, 12V/20mA |
| 13SEP-2801ZNL | 1:0.470:0.294 | 28.9 | 33 ~ 57V, 200KHZ | 1.0 | 0.058 | 0.055 | 0.027 | أ | Vo=15V/27W, 8V/20mA |
① نسبة التحويل هي مع لفات الثانوي متصلة بالتوازي.
② L(NOM) = الحث الاسمي هو للملف الأول، مقاس عند 200KHz، 0.2Vrms، 0Adc.
③ الحث التسربي مقاس بين الملف الأول مع توصيل دبابيس أخرى.
④ DCR لللفات الثانوية المتصلة بالتوازي.
⑤ الناتج هو مع اللفات الثانوية متصلة بالتوازي.
الشهادة
- الميكانيكيات والأبعاد
الآليات والأبعاد لسلسلة EP PoE (EP7 8PIN)
الآليات والأبعاد لسلسلة EP PoE (EP10 8PIN)
الآليات والأبعاد لسلسلة EP PoE (EP13 10PIN)
- المنتجات ذات الصلة
محول عالي التردد SMD PoE مع منصات EFD15 - SMT
سلسلة 15SEFD
محول سلكي عالي التردد بمنصات EFD15 - SMT. نطاق الطاقة لسلسلة...
تفاصيل
محول عالي التردد SMD مع منصات EFD20-SMT PoE
سلسلة 20SEFD
محول عالي التردد يتميز بمنصات EFD20-SMT ووظيفة PoE. نطاق...
تفاصيل- تحميل الملفات
المنتجات الساخنة
محول عالي التردد SMD PoE 3W~27W مع نواة EP - محول طاقة عالي التردد SMD PoE 3~27W | شركة تصنيع مزودات الطاقة والمكونات المغناطيسية ومقرها تايوان | YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD.
مقرها في تايوان منذ عام 1990، YUAN DEAN SCIENTIFIC CO., LTD. كانت مصنّعاً لمحوّلات الطاقة، والمحولات، والمكونات المغناطيسية في صناعة المكونات الإلكترونية. تشمل منتجاتهم الرئيسية محولات التردد العالي SMD PoE من 3W إلى 27W مع نواة EP، ومحولات DC-DC، ومحولات AC-DC، ومغناطيسات RJ45، ومحولات المحولات، ومرشحات LAN، ومحولات التردد العالي، ومحولات POE، والمحاثات، وسواقات LED، والتي تم اعتمادها وفقاً لمعايير RoHS مع تنفيذ نظام ERP.
تأسست YDS في عام 1990 في تاينان، تايوان، وتم تأسيس مصنعنا هو ماو للإلكترونيات في عام 1995 في شيامن، الصين. نحن الشركة الرائدة في تصنيع الإلكترونيات الحاصلة على شهادات ISO 9001 وISO 14001 وIATF16949. نحن ننتج مجموعة متنوعة من المنتجات مثل محول DC/DC، محول AC/DC، RJ45 مع مغناطيس، فلتر LAN 10/100/1G/2.5G/10G Base-T، جميع أنواع المحولات، المحاثات، منتجات سائق LED/الإضاءة وبنك الطاقة. محول طاقة معتمد من ISO 9001 و ISO 14001 و IATF16949، محول تردد عالٍ، مكون مغناطيسي مع اختبارات موثوقة لمختبرات EMC و EMI / EMS / EDS. حلول محولات الطاقة للاستخدامات الطبية، السكك الحديدية، الطاقة عبر الإيثرنت، وغيرها.
لقد كانت YDS تقدم للعملاء مزودات طاقة عالية الجودة ومكونات مغناطيسية، مع تكنولوجيا متقدمة وخبرة تمتد لـ 25 عامًا، تضمن YDS تلبية احتياجات كل عميل.